适用于:8~12英寸晶圆刻蚀
装备特点:
1. 刻蚀性能优异,与Single Wafer机台完全持平,而能耗更低
2. 节能,药水单耗低于Single Wafer
3. 结构简朴,使用利便,操作难度低于Single Wafer
4. 本钱低廉,相同产能其价钱约为Single Wafer机台的1/5
5. 装备升级空间重大,容易搭载更多的功效

适用于:8~12英寸晶圆刻蚀装备特点:1. 刻蚀性能优异,与Single Wafer机台完全持平,而能耗更低2. 节能,药水单耗低于Single Wafer3. 结构简朴,使用利便,操作难度低于Single Wafer4. 本钱低廉,相同产能其价钱约为...
适用于:8~12英寸晶圆刻蚀
装备特点:
1. 刻蚀性能优异,与Single Wafer机台完全持平,而能耗更低
2. 节能,药水单耗低于Single Wafer
3. 结构简朴,使用利便,操作难度低于Single Wafer
4. 本钱低廉,相同产能其价钱约为Single Wafer机台的1/5
5. 装备升级空间重大,容易搭载更多的功效